EG120
SiC MOSFET栅极驱动器IC
应用和技术摘要
EG120是一款高压SiC或IGBT栅极驱动IC，设计用于汽车牵引逆变器。EG120采用电容耦合技术，在低压和高压之间提供电气隔离。
EG120可以用多达133种不同的栅极驱动电流配置文件进行编程，能对功率晶体管进行充放电。在运行期间，EG120能根据逆变器的实际工作条件，选择最佳的栅极充放电曲线。
产品优势
- 栅极电流曲线许可
- 能基于μC或ASIC的自动选择，适配不同的逆变器运行条件（例如温度、DC-link电压、相电流）或故障条件（过流、安全状态）
- 并联晶体管的公差补偿
- 模拟不同的软开/关配置
- 在高压侧不需要外部门极电阻、AMCL元件、安全状态逻辑或ADC
- 可显著减少外部元件，从而减少所需的PCB空间
- 在功率晶体管发生故障的情况下，可进行限制性原点操作： 4个独立的输出支持未故障的平行开关功率晶体管运行
多达133种不同的栅极驱动电流配置
用于功率晶体管的充放电
技术特点
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类型
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用于SiC或IGBT功率开关的独立栅极驱动器
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封装
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特点
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参数识别
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减少不对称的开关和不平等的负载可以使SiC的寿命大大改善，从而提高逆变器系统的可靠性。
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电流控制的栅极驱动
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系统保护的功能
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控制接口
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UART
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Tj 最小值[°C]
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-40°C
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Tj 最大值[°C]
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150°C
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