EG120 | SiC MOSFET Gate Driver IC

Up to 133 different gate current profiles for charging and discharging of the power transistors.

The EG120 is a high-voltage SiC or IGBT gate driver IC designed for automotive traction inverters.

The EG120 implements capacitive coupling technology to provide galvanic isolation between low voltage and high voltage domains.

EG120 can be programmed with up to 133 different gate current profiles for charging and discharging of the power transistors.

EG120 supports the selection of optimum gate charge and discharge profiles for the actual inverter operating condition during runtime.

Benefits

Gate Current Profiles allow

No external gate-resistors, AMCL components, safestate logic or ADC needed on HV-side.

Enable significant reduction of external components and thus required PCB space

技术特点


类型	用于SiC或IGBT功率开关的独立栅极驱动器
封装	PSOP44
特点	单通道10A栅极驱动电流能力，分成4个同步输出，每个输出+/-2.5A 基于可编程电流曲线的栅极充放电控制，每个输出都相对独立采样晶体管的V_Gate与Q_Gate特性能在运行期间选择栅极驱动电流配置文件，包括相位电流预测运行期间的智能选择驱动电流配置集成LDO，在短路时具有升高V_GS电压功能完全集成的有源米勒钳制（无外部元件） UART接口最小150V/ns。CMTI (共模瞬态抗扰度) 60s@4300 VPK最大。VIOTM (最大额定瞬态隔离电压，符合IEC 60747-17) 通过实时参数检测对功率晶体管进行故障监测 AEC-Q104认证支持符合ISO26262的ASIL D系统
参数识别	减少不对称的开关和不平等的负载可以使SiC的寿命大大改善，从而提高逆变器系统的可靠性。
电流控制的栅极驱动	保持较短的充电前后时间快速开关显著减少WLTC的开关损耗在miller-plateau阶段调谐栅极电流优化EMC 栅极驱动电流以10毫安为单位进行调整 RAM中最多有133个不同的驱动电流配置文件由MCU定义并由IC在运行期间为每个新的工作周期进行选择额外的安全状态和过电流配置文件快速反应：在发生事故时由EG120激活
系统保护的功能	可编程的、与DC-Link电压相关的安全状态过电流和DESAT检测(警告+错误) OV/UV-监测所有的电源和门控输出直流链路电压 2个外部NTC ADC输入测量与内部12位ADC 内部温度测量主动放电模式，简化了逆变器
控制接口	UART
Tj 最小值[°C]	-40°C
Tj 最大值[°C]	150°C

Simplified block diagram

EG120, blockdiagramm, block_diagram, block_chart

Simplified application diagram