博世碳化硅半导体解决方案

低损耗功率半导体对于最大化发挥现代汽车电子系统的能效至关重要，尤其是在电动汽车的高功率应用中，碳化硅（SiC）功率电子器件正日益普及。与传统的硅基芯片相比，碳化硅半导体具备更优越的电导率、更快的开关速度以及更高的整体效率，从而有效降低能量损耗并减少冷却需求。这使其成为新一代功率电子系统的首选。

SiC功率器件的制造工艺极为复杂，不仅要求极高纯度的生产环境，还需经过十多个掩膜/结构层次和超过300道工艺步骤。博世自主开发了专有的SiC芯片制造工艺，并对自身的沟槽刻蚀技术进行了适配。该技术可在晶圆材料中精确刻蚀垂直结构，进一步提升芯片的功率密度。

凭借在汽车MOSFET和SiC领域超过20年的经验，博世自2021年底起已在德国罗伊特林根实现首代碳化硅芯片基于150毫米晶圆的量产。目前，我们正在将第二代产品转产至200毫米晶圆，并自2024年6月起在罗伊特林根开始基于200毫米晶圆的第二代芯片样品交付，供客户验证。我们正在积极筹备第二代产品在200毫米晶圆上的量产工作。

此外，博世计划自2026年起，在美国加利福尼亚州的罗斯维尔工厂启动基于200毫米晶圆的第二代碳化硅芯片样品生产，并为后续的量产奠定基础。

博世如何构建稳定的车用碳化硅半导体供应链

为确保碳化硅半导体的稳定供应，博世正系统性地扩展其在德国和美国的产能。我们的目标是在未来几年内将出货量提升十倍以上，以增强供应链的韧性并支持本地市场，从而成为智能出行行业值得信赖的合作伙伴。